手機鍍膜機|中頻濺射鍍膜的注意事項

2019-02-20  來自: 東莞市興族(納米科技)實業有限公司 浏覽次數:28

  手機鍍膜機|中頻濺射鍍膜的注意事項,中頻濺射也是磁控濺射的一種,一般磁控濺射靶的設計,磁場的設計是各家技術的,國際幾個有名的濺射靶制造商,對靶磁場的設計相當專業,改變磁場設計能得到不相同的等離子體蒸發量.電子的路徑,等離子體的分布,所以濺射靶磁場是各家的技術機密.真空爐

  關于陰極弧(也就是離子鍍),磁控濺射,以及坩埚蒸發都屬于PVD(物理氣相沈積),坩埚蒸發主要是相變,蒸發靶材只有幾個電子伏特的能量。所以膜附著力小,但沈積率高,多用于光學鍍膜。磁控濺射中氩離子沖擊靶材使靶材原子和分子碎片沈積在零件,靶材材料動能可達數百甚至上千電子伏特能量。是真正的中性的納米級鍍膜。陰極弧起弧後一方面靶面高溫將材料冶金融化,強大電場然後將融化材料幾乎完全離子化,在靶電源和零件偏壓綜合作用下成膜。看起來陰極弧鍍較先進,其實不然。首先靶面溶化過程很隨機不可控制,離子成團鍍到零件。鍍件均勻性和光滑性難以保證。通俗點講陰極弧鍍是真空下的焊接過程,陰極弧電源和焊接電源原理上很近似。陰極弧技術主要源于前蘇聯,在我國因種種原因較普及,電源簡單是很大一個因素。但技術不斷進步,啓動櫃。近年過濾陰極弧技術發展較快,避免了成膜不均勻的缺點,但有所得必有所失,過濾使沈積率減小而設備成本增高

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