手機真空鍍膜機濺鍍的原理是什麽

2018-05-23  來自: 東莞市興族(納米科技)實業有限公司 浏覽次數:278

  手機真空鍍膜機濺鍍的原理是什麽

  以几十电子伏特或更高动能的荷电粒子炮击资料外表,使其溅射出进入气相,可用来刻蚀和镀膜。入射一个离子所溅射出的原子个数称为溅射产额(Yield)产额越高溅射速度越快,以Cu,Au,Ag等最高,Ti,Mo,Ta,W等最低。一般在0.1-10原子/离子。离子能够直流辉光放电(glow discharge)发生,在10-1—10 Pa真空度,在两极间加高压发生放电,正离子会炮击负电之靶材而溅射也靶材,而镀至被镀物上。

  正常放電的電流密度與陰極物質與形狀、氣體品種壓力等有關。濺鍍時應盡也許保持其安穩。任何資料皆可濺射鍍膜,即便高熔點資料也簡單濺鍍,但對非導體靶材須以射頻(RF)或脈沖(pulse)濺射;且因導電性較差,濺鍍功率及速度較低。金屬濺鍍功率可達10W/cm2,非金屬<5W/cm2

  二極濺鍍射:靶材爲陰極,被鍍工件及工件架爲陽極,氣體(氩氣Ar)壓力約幾Pa或更高方可得較高鍍率。

  磁控溅射:在阴极靶外表构成一正交电磁场,在此区电子密度高,进而进步离子密度,使得溅镀率进步(一个数量级),溅射速度可达0.1—1 um/min膜层附着力较蒸镀佳,是现在最有用的镀膜技能之一。

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